西藏封装用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)

半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，封装用IGBT测试仪现货供应，因具有耗损性，封装用IGBT测试仪批发，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个*特的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在较短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

测试大功率元件应用范例说明？

2011年，我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间，封装用IGBT测试仪加工，进行了实际的展示与操作，西藏封装用IGBT测试仪，厂方提供了许多元件来测试，其中一部份由于损毁严重，在一开始的功能与元件判别过程，即被判出局，而未进入实质的参数量测，也有全新的IGBT，量测结果完全合乎出厂规格.对其测试数据较为满意，解决了特大功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。

华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件*9 部分：绝缘栅双较晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 国家电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路*2 部分:整流二极管