3.6VCES集射较截止电压0~5000V集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~50mA±1%±0.1mA;集电极电压VCES:0-5000V±1.5%±2V;*3.7 ICES集射较截止电流0.01~50mA集电极电压VCES:50~500V±2%±1V;500~5000V±1.5%±2V;集电极电流ICES:0.001~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;用户能对旧品元件作筛选,留下可用元件,确实掌握设备运转的可靠度。10~150mA±1%±0.1mA;*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001~10V集电极电流ICE:0-1600A集电极电压VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V栅较电压Vge:5~40V±1%±0.01V集电极电流ICE:0~100A±1%±1A;100~1600A±2%±2A;*3.9Iges栅较漏电流0.01~10μA栅较漏电流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA栅较电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;Vce=0V;*3.10VF正向特性测试0.1~5V二极管导通电压Vf:0.1~5V±1%±0.01V电流IF:0~100A±2%±1A;100~1600A±1.5%±2A;
4验收和测试1)验收由双方共同参加,按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项,辽宁IGBT测试仪现货供应,检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试,买方确认测试合格通过后完成验收。2)卖方负责组织和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作;负责免费培训并提供培训教材。2)集射较截止电压/集射较截止电流测试电路集射较截止电压/发射较截止电流测试电路。培训后,应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试,并能解决实际工程问题。
参数名称符号参数名称符号
开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)
上升时间tr下降时间tf
开通时间ton关断时间toff
开通损耗Eon关断损耗Eoff
栅较电荷Qg
短路电流ISC//
可测量的FRD动态参数
参数名称符号参数名称符号
反向恢复电流IRM反向恢复电荷Qrr
反向恢复时间trr反向恢复损耗Erec